在半導(dǎo)體制造等高精度領(lǐng)域，光刻膠的去除是一個(gè)至關(guān)重要的步驟。為了確保后續(xù)工藝的順利進(jìn)行以及產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定，必須徹底、高效地去除光刻膠。
真空等離子清洗機(jī)去除光刻膠的過程主要依賴于等離子體的獨(dú)特性質(zhì)。等離子體是由氣體分子在電離過程中產(chǎn)生的，它包含了電子、離子、中性粒子以及激發(fā)態(tài)的原子和分子。在真空等離子清洗機(jī)中，通過加熱和施加高頻電場，氣體分子被電離成等離子體。
當(dāng)?shù)入x子體與光刻膠接觸時(shí)，其高能量的帶電粒子會與光刻膠分子發(fā)生相互作用。這種相互作用可以引發(fā)兩種主要的反應(yīng)機(jī)制：化學(xué)降解和物理分解。
化學(xué)降解是指等離子體中的活性粒子與光刻膠分子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，導(dǎo)致光刻膠分子鏈的斷裂和分解。這些活性粒子具有足夠的能量來打破光刻膠分子中的化學(xué)鍵，從而將其分解成較小的分子或原子。這些分解產(chǎn)物隨后被等離子體中的氣流帶走，從而實(shí)現(xiàn)光刻膠的去除。
物理分解則是指等離子體中的帶電粒子對光刻膠表面進(jìn)行物理轟擊，導(dǎo)致其機(jī)械性的剝離和去除。由于等離子體中的粒子具有高速運(yùn)動和撞擊力，它們可以有效地將光刻膠從基材表面剝離下來。
除了化學(xué)降解和物理分解外，等離子體還具有一些其他有利于光刻膠去除的特性。例如，等離子體中的紫外線和臭氧等成分可以進(jìn)一步促進(jìn)光刻膠的分解和氧化。同時(shí)，等離子體還可以產(chǎn)生局部的高溫環(huán)境，有助于加速光刻膠的揮發(fā)和去除。
